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1200℃多坩堝依次移動型管式爐--OTF-1200X-II-ZL
  • 品牌: 合肥科晶
  • 型號: OTF-1200X-II-ZL
  • 產(chǎn)地: 合肥科晶
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產(chǎn)品詳情



         OTF-1200X-II-ZL是一款爐管可在爐管內(nèi)部移動的(在真空氣氛保護環(huán)境下移動)管式爐,至多可依次移動4個坩堝。特殊的坩堝推送機構(gòu),可將坩堝在爐管內(nèi)推出后再拉回,讓坩堝能做往返移動。坩堝移動位置&爐體的溫度控制都采用一觸摸屏控制。此款設(shè)備可進行物理化學混合沉積(HPCVD),快速熱蒸發(fā)(RTE)等實驗,特別適合制備多層二維晶體材料。



技術(shù)參數(shù)


名稱

1200℃多坩堝依次移動型管式爐--OTF-1200X-II-ZL

開啟式管式爐


雙溫區(qū)管式爐:兩個獨立的溫控系統(tǒng)分別獨立控制兩個溫區(qū)

加熱區(qū)長度:溫區(qū)1:200mm, 溫區(qū)2:200mm

爐管材料:高純石英

爐管尺寸:外徑: 60 ×內(nèi)徑: 54×長: 760 mm

溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設(shè)置在800℃時所測,僅供參考)



工作溫度:1200℃(<1hr)

連續(xù)工作溫度:1100℃

控溫精度:+/-1℃

 

真空密封

配有不銹鋼密封法蘭,上面安裝有不銹鋼截止閥和機械壓力表。

進氣端法蘭接口為Φ6.35卡套接頭,出氣端法蘭接口為KF25接口。

法蘭密封圈采用水冷卻,使用時需要通入冷卻水,可在本公司選購循環(huán)水冷機。

真空度:10E-2 torr(采用機械泵),10-E5 torr(采用分子泵)。

  

坩堝移動機構(gòu)(轉(zhuǎn)輪式法蘭)

一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入到爐管內(nèi)部,并與坩堝相連接(1)。

通過步進電機驅(qū)動使坩堝移動,并和熱電偶和坩堝一起移動,實時監(jiān)測樣品的溫度。

進氣端法蘭轉(zhuǎn)輪式法蘭(圖2)。

可同時在轉(zhuǎn)輪系統(tǒng)中放入4個坩堝,可交替將放入4種材料的石英坩堝自動送入到石英管中(可在真空狀態(tài)或氣氛保護狀態(tài)進行運作)。

   

坩堝移動控制

通過一步進電機控制坩堝移動的速度和位置。

可控制坩堝較小移動位移為1mm

坩堝較大移動距離為200mm。

  

防腐型數(shù)顯真空計


配有一數(shù)顯防腐型真空計。

當氣壓在10mbar以上時,不需因測量氣體種類不同而進行系數(shù)轉(zhuǎn)換。

對于氣體的壓力檢測具有較高的精確度和重復性。

因為傳感器上鍍有涂層,所以具有較好的抗腐蝕性。

測量范圍:3.8x10-5 -1125 Torr。

混氣系統(tǒng)


此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng)

輸出功率:18W

工作溫度:5-45

氣壓:3×106Pa

精度:±1%FS

質(zhì)量流量計量程:

1:0-100sccm

2:1-199sccm

可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)

產(chǎn)品尺寸

2400mmL)×600mmW)×1300Hmm


質(zhì)保期

一年質(zhì)保期,相關(guān)耗材除外,如爐管加熱元件密封圈易耗件

質(zhì)量認證

CE認證

所有電器元件(>24V)都通過UL/MET/CSA認證

若客戶出認證費用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認證或CSA認證。

    

國家專利

專利名稱:一種小型熱等靜壓爐裝置

專利編號:ZL-20150417026.0

使用注意事項

爐管內(nèi)氣壓不高于0.02MPa。

由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。

當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)。

進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

石英管的長時間使用溫度<1100℃。

對于樣品加熱是實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需要時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)

應用注意事項

此款管式爐具有多種用途。

熱蒸發(fā):把蒸發(fā)料放在坩堝里,通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度。

HPCVD:和熱蒸發(fā)相似,可通入反應氣體與蒸發(fā)的物料反應后再沉積。

可用于制作多層二維晶體。

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