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1200℃多坩堝同時移動型管式爐(可同時移動2個坩堝源)-OTF-1200X-Ⅱ-S2
  • 品牌: 合肥科晶
  • 型號: OTF-1200X-Ⅱ-S2
  • 產(chǎn)地: 合肥科晶
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產(chǎn)品詳情


         OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款雙溫區(qū)帶有升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)的共蒸發(fā)多層沉積管式爐,通過升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)可裝載4個不同材料的蒸發(fā)坩堝舟,并且可一次同時送入兩個蒸發(fā)坩堝源進(jìn)入管式爐中進(jìn)行共蒸發(fā)或反應(yīng)蒸發(fā)。雙溫區(qū)管式爐可以實現(xiàn)快速加熱,并且通過對各個溫區(qū)設(shè)置不同的加熱溫度可以創(chuàng)建不同的溫度梯度從而實現(xiàn)蒸發(fā)沉積。雙通道進(jìn)料系統(tǒng)可以在程序控制下將2個裝載不同蒸發(fā)料的坩堝一同推進(jìn)拉出,實現(xiàn)共蒸發(fā)或者反應(yīng)蒸發(fā),特別適用于多層二維晶體材料的制備。


技術(shù)參數(shù)

名稱

1200℃多坩堝同時移動型管式爐(可同時移動2個坩堝源)-OTF-1200X--S2

管式爐

雙溫區(qū)管式爐:兩個獨立的溫控系統(tǒng)對每個溫區(qū)進(jìn)行獨立控溫

電壓:220V AC 50/60Hz

功率:3KW

加熱區(qū)長度:440mm

恒溫區(qū)長度:300mm

溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設(shè)置在800℃時所測,僅供參考)



爐管材料:高純石英管

標(biāo)配爐管尺寸:Φ100(外)×Φ94(內(nèi))×640(長)

工作溫度:1200℃(<1h)

連續(xù)工作溫度:1100℃

控溫精度:±1℃

推薦升溫速率:10℃/min

坩堝推送機構(gòu)(升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng))



一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入爐管內(nèi)部,并與坩堝相連接,實現(xiàn)溫度的實時監(jiān)測(如圖1)。

升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)放置在一中空的真空腔體中,上方采用不銹鋼真空法蘭進(jìn)行密封,兩端同樣采用不銹鋼真空法蘭與坩堝推進(jìn)裝置及管式爐進(jìn)行連接,保證進(jìn)料在真空狀態(tài)或者氣氛保護狀態(tài)下進(jìn)行運作(圖2)。

進(jìn)料系統(tǒng)真空腔體右端與管式爐連接法蘭處安裝有2個獨立小石英管(圖3)。

在升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)中至多可放入4個坩堝(圖4),利用推送系統(tǒng)可交替將4個不同蒸發(fā)源單個依次送入石英管中,也可將放入不同材料的2個坩堝蒸發(fā)源一同送入,分別精確的推入兩個獨立的小石英管中(圖5),找到所需的蒸發(fā)溫度處進(jìn)行共蒸發(fā)或者反應(yīng)蒸發(fā),保證實驗的重復(fù)性以及穩(wěn)定性(圖6)。

     

           圖一                圖二             圖三                        圖四                             圖五


           圖六


坩堝推送控制系統(tǒng)


采用PLC觸摸屏控制。

通過一步進(jìn)電機控制坩堝的移動速度和位置,進(jìn)樣位置和速度可調(diào)。

可控制坩堝移動位移為1mm。

坩堝移動距離為200mm


真空表

機械壓力表+數(shù)顯壓力表

真空泵

真空度:10E-2 torr(采用機械泵),10-E5 torr(采用分子泵)


混氣系統(tǒng)

此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng)

輸出功率:18W

工作溫度:5-45

精度:±1%FS

質(zhì)量流量計量程:1:0-100sccm          2:1-199sccm

可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)


水冷系統(tǒng)

標(biāo)配—16L循環(huán)水冷系統(tǒng)


產(chǎn)品尺寸

2600mmL)×600mmW)×900Hmm


質(zhì)保期

一年質(zhì)保期,終生維護。

質(zhì)量認(rèn)證

CE認(rèn)證

所有電器元件(>24V)都通過UL/MET/CSA認(rèn)證

若客戶出認(rèn)證費用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CSA認(rèn)證。

    

國家專利

專利名稱:一種小型熱等靜壓爐裝置

專利編號:ZL-20150417026.0

使用注意事項

爐管內(nèi)氣壓不高于0.02MPa。

由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。

當(dāng)爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)。

進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

石英管的長時間使用溫度<1100℃。

對于樣品加熱是實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需要時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。

應(yīng)用注意事項

此款管式爐具有多種用途。

熱蒸發(fā):把蒸發(fā)料放在坩堝里,通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度。

HPCVD:通入反應(yīng)氣體與蒸發(fā)的物料反應(yīng)后再沉積。

共蒸發(fā)沉淀或反應(yīng)蒸發(fā)沉積:利用獨特的雙通道進(jìn)料裝置可以實現(xiàn)兩蒸發(fā)源的同時送入,實現(xiàn)共蒸發(fā)沉積或反應(yīng)蒸發(fā)沉積。

多層二維晶體:此套設(shè)備可以實現(xiàn)多層二維晶體的制備(硒化物硫化物等),操作方便簡單,實驗更具精確性、重復(fù)性。

免責(zé)聲明

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